دیتاشیت TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPH4R008NH,L1Q
حجم فایل 79.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: TOSHIBA TPH4R008NH,L1Q
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W;78W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 59nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5300pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,30A
  • Package: SOP
  • Manufacturer: TOSHIBA